集成式MOSFET的多个选项答应实现300V至650V漏极电压和1A至4A漏极电流，以得当大多数3W至18W灯胆的要求。
AL1676采取单级降压转换器拓扑，利用恒定导通时间控制，以实现高功率因数运作；简单的闭环算法确保提供正确的恒定LED输出电流，从而实现精良的线性和负载调解率的要求。临界导通模式简化了EMI/EMC计划需求，同时可以或许检测关断时间，资助消除了辅助线圈，有助于器件到达极低的BOM数量和本钱。
AL1676器件具有欠压和过压、过热关断和过热降电流(thermalfold-back)等多种掩护功能，从而在LED灯胆遭遇高环境温度的环境下进步体系的可靠性。高集成度程度连合小型5mm×6mmSO-7封装，还可实现非常紧凑的办理方案尺寸；通过利用差别MOSFET选项，可以或许在差别功率的灯胆重新利用雷同的PCB引脚计划。
详情请见：https://news.eccn.com/news_2016061313005681.htm
CopyrightYourWebSite.SomeRightsReserved.
京ICP备2023016396号PoweredByESCLINK.
我要评论