矽源特ChipSourceTek-PT6010概述：
矽源特ChipSourceTek-PT6010是一款专为掩护8～10串锂离子/聚合物电池、磷酸铁锂电池或钛酸锂电池的电池掩护芯片，可低落因电池过充，过放，过暖和/或过流条件而导致的电池破坏或寿命收缩的风险。
±25mV的过充电检测电压精度包管电池安全的全容量充电。±10mV的电流检测电压精度包管放电过流正确触发。
矽源特ChipSourceTek-PT6010的充电过温掩护阈值和放电过温掩护阈值可通过外部电阻独立设置。
矽源特ChipSourceTek-PT6010可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N型放电MOSFET，并保存特别的CCTL和DCTL引脚，让客户可根据应用控制充放电MOSFETs。
矽源特ChipSourceTek-PT6010支持多芯片级联以满意更多电池串联的应用。
矽源特ChipSourceTek-PT6010将充电过温、放电过温、充电低温、放电过流/短路，充电过流、电压过充、电压过放变乱通过3个独立的引脚输出，可共同单片机灵活应用。
矽源特ChipSourceTek-PT6010的低功耗计划让电池包在存储阶段只斲丧微不敷道的电流。
矽源特ChipSourceTek-PT6010特点：
内置高精度电压检测电路：
过充电检测电压：
VCOV=4.25V/3.85V/3.65V/2.80V
精度：±25mV
过充电规复电压：
VCOVR=4.15V/3.65V/3.55V/2.5V
过放电检测电压：
VCUV=2.80V/2.50V/2.00V/1.20V
精度：±80mV
过放电规复电压：
VCUVR=3.00V/2.80V/2.50V/1.50V
电池均衡启动电压：
VBL=VCOVRor△VBL=50mV/75mV/100mV
精度：±25mV
内置三段放电过电流检测电路：
放电过电流1检测电压：
VDOC1=50mV/100mV；精度：±10mV
放电过电流2检测电压：
VDOC2=2*VDOC1；精度：±20mV
负载短路检测电压：
VSC=5*VDOC1；精度：±50mV
内置充电过电流检测电路：
充电过电流检测电压：
VCOC=20mV/40mV/60mV/屏蔽；精度：±30%
内置独立的充电过暖和放电过温掩护，可通过外部电阻独立设置充电过温掩护阈值和放电过温掩护阈值
内置充电低温掩护
耽误时间TCUV/TDOC1/TDOC2可通过外部引脚设置
DT/CT，OV/UV和SC/DOC/COC的报警信号输出引脚
内置电池被动均衡和断线检测功能
支持多芯片级联应用
电子锁功能
关断模式和休眠模式的外部设置引脚
支持磷酸铁锂和钛酸锂电池应用
低斲丧电流：
正常工作状态：25μA
休眠模式：2μA
关断模式：2μA
封装：LQFP-32L
矽源特ChipSourceTek-PT6010应用：
电动自行车、电动滑板车
电动工具，电动园林工具
备用电池体系
扫地机等
矽源特ChipSourceTek-PT6010订购信息：
封装/LQFP-32L
温度范围/-40℃~85℃
订购型号/矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-YY
包装打印/Tray/2500units
产物打印/矽源特ChipSourceTek-PT6010/YY/xxxxxX
Note1:YY对应表1中的参数选项
Note2:
矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-AA/矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-AB/矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-BA/矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-DA/矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-DB/矽源特ChipSourceTek-PT6010EL32-HA
Note3:其他参数选项的产物型号需求请接洽贩卖。
矽源特ChipSourceTek-PT6010典范应用电路：
矽源特ChipSourceTek-PT6010管脚界说图：
矽源特ChipSourceTek-PT6010简化模块图：
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