t430已关闭无线功能_thinkpad已关闭无线「thinkpad已关闭无线功能」

媒介

充电头网具体总结了2023年6月至10月期间，涵盖了四家重要氮化镓制造企业的行业近况消息变乱，这份陈诉提供了深入洞察这个具有关键意义的范畴的发展动态，通过对每家企业的变乱以及状态举行深入分析，可为用户提供关于氮化镓财产近况的全面相识。

以下排名不分先后，按照品牌首字母排序。

行业近况

Danxitech氮矽

氮矽科技推出120/240WGaN适配器方案

氮矽科技120WGaN适配器方案

氮矽科技120WGaN适配器方案，主控IC采取的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F130。

重要参数

尺寸：96.51*46.62*21.38mm

服从：94.40%@230V50Hz

功率密度：1.24W/cm³

GaN型号：DXC1065S2C/DX65F130

封装：DFN5*6/DFN8*8

氮矽科技240WGaN适配器方案

氮矽科技240WGaN适配器方案，主控IC采取的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F080。

重要参数

尺寸：146.33*56.14*25.59mm

服从：94.81%@230V50Hz

功率密度：1.14W/cm³

GaN型号：DXC1065S2C/DX65F080

封装：DFN5*6/DFN8*8

氮矽科技对氮化镓功率器件研究盼望与应用

功率氮化镓财产技能蹊径分为D-modeHEMT和E-modeHEMT两大流派。D-modeHEMT蹊径将一颗D-modeHEMT与一颗LVSiMOSFET采取Cascode方式相连，代表公司有Transphorm,、PI、镓将来等。E-modeHEMT蹊径则只利用一颗E-ModeHEMT晶体管（常利用p-GaNgate方式实现），代表公司有GaNsystem、Navitas、松下、英诺赛科，氮矽科技、英飞凌等。

随着功率氮化镓市场的不绝开阔，氮化镓市场迎来了发达发展，市场规模也在渐渐扩大，预计2027年到达20亿美元，涉及斲丧者、汽车、工业、能源等多个范畴。

快充范畴作为当前功率氮化镓的最重要的应用范畴之一，在将来数年仍具有广阔的市场空间。除了快充市场外，功率氮化镓在家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车、锂电池等范畴同样具有巨大的潜伏应用市场。

氮矽科技作为一家专注功率氮化镓功率器件及驱动器研发和贩卖的公司，旗下拥有差别系列的芯片产物，分别为氮化镓晶体管系列、氮化镓驱动系列、氮化镓集成驱动系列，还可以提供快充、电源适配器、TV电源等范畴的办理方案。

在氮化镓快充市场中，仅进入此中的着名智能手机品牌就有小米、OPPO、华为、三星、苹果等，按国内每年超3亿部手机出货量来汇算，芯片需求量超百亿颗，不少厂商布局此中。氮矽科技的多款产物中，仅高压650V器件在2023年第一季度的出货量就达500W颗，在业内遥遥领先。

氮矽科技推出TO247封装并集成驱动的氮化镓器件，携手涞顿科技和安科讯告竣战略相助

氮矽DXC3065S2TB集成驱动器件助力新款氮化镓微型逆变器

DXC3065S2TB作为氮矽科技PIIP™GaN系列产物的最新力作，将在此次相助中作为新款氮化镓微型逆变器的核心功率器件。DXC3065S2TB采取TO247—4封装，内置650V耐压，80mΩ导阻，最大漏源极电流30A的加强型氮化镓晶体管，集成驱动器的开关速率超10MHz，具有零反向规复斲丧。

DXC3065S2TB规格书图

区别于PIIP™GaN系列的其他产物，氮矽DXC3065S2TB初次在TO系列封装工艺上采取了埋阻封装，通过将上拉电阻集成到TO247封装内，在节流了PCB占板面积的同时包管了开关波形的稳固，别的由于埋阻工艺可以有效减小寄生电感和寄生电阻，具有高可靠性和高服从的特点。

DXC3065S2TB内部电路框图

支持0~18V的宽电压输入范围

DXC3065S2TB的PWM输入（IN）电压范围为0~18V，险些兼容市面全部的PWM控制器的输出，为电源计划职员提供了极大的便利。

支持UVLO欠压锁定功能

DXC3065S2TB的UVLO阈值为3.8V，当供电电压VDD低于UVLO时，内部电路处于待机状态，直到VDD到达启动电压，该功能有效克制了由于电源电压的颠簸导致器件误开启失效的题目，这也是PIIP™GaN具备高可靠性的重要缘故起因之一。

更高效的能源转化

DXC3065S2TB可以充实发挥氮化镓器件高频和零反向规复的上风，最洪流平地进步能源的转换服从，镌汰能源斲丧。

氮矽科技AC-DC氮化镓集成芯片，为高效电源办理方案注入新活力

DXP8001FA为高效电源办理方案注入新活力

DXP8001FA是一款高度集成的650V、165mΩGaNAC-DC功率转换芯片，它通过将高压GaN与AC-DC控制芯片集成在一起，有效低落了电路计划和调试的难度。这款芯片的上风在于它可以简化电路计划、减小PCB占板面积，并低落产物调试的难度。除此之外，它还具有宽VCC工作电压范围(9V-85V)，可以覆盖3.3V-21V的PD/PPS输出范围，且无需额外的VCC绕组或线性降压电路。这些特点使得DXP8001FA成为高效、紧凑、高性价比的功率转换办理方案。

DXP8001FA应用原理图

DXP8001FA具有高效、稳固、低斲丧、易于利用的特点，有效提拔了应用工程师的利用体验：

1、美满的各项掩护及主动规复功能

VCC过压/输出过压掩护

当VCC或输出电压高出预设阈值时，过压掩护电路会立即采取举措。会立即克制芯片驱动输出并进入重启模式。这种掩护步伐可以有效克制电路中的元器件过载或破坏，从而克制电路故障或火警等伤害环境的发生。

发生掩护，克制驱动输出,开始进入Restart过程

OPP（过功率）掩护

通过监测COMP电压，OPP掩护电路判定功率是否高出设定值并采取相应的掩护步伐。当COMP电压高出VOPP并连续42ms以上时，芯片判定为OOP掩护并进入重启模式。此掩护步伐能有效掩护装备免受电流过载、短路等多种故障影响，增长产物可靠度与利用寿命。

BROWNIN

在体系启动过程中，PWM控制器会发送一系列的脉冲举行各种检测，此中一项就是BROWNIN检测。在这个阶段，假如从FBPIN流出的电流大于IBIN（~95UA），那么芯片就会判定BROWNIN认定条件已经满意，然后举行正常的启动过程。假如在BROWNIN检测阶段未满意这个条件，那么在发送一系列窄脉冲之后，芯片将会重启。

BROWNOUT

在芯片的正常工作过程中，当原边MOS管导通时，会检测FB引脚的电流。假如该电流小于IBNO（~85UA），而且连续时间≥42毫秒，那么芯片将判定VBULK电压过低，发生BROWNOUT征象。在这种环境下，芯片将驱动输出并进入重启过程。

CS短路掩护

假如GaN管导通3.6微秒后，CS电压仍未到达VCS_Sh（-50MV）阈值，那么芯片将被迫关闭驱动器。假如这种情祝在连续三个周期内出现，芯片将进入掩护和重启模式。可以包管芯片的安全和可靠性，并防止进一步的故障发生。

发生掩护，克制驱动输出，开始进入Restart过程

除了上述掩护机制，DXP8001FA还提供了其他紧张的芯片掩护机制，包罗输出同步整流短路掩护、过温掩护(OTP)以及逐周期最大电流限定等。这些掩护机制有助于确保芯片的安全性和稳固性，提拔芯片的利用寿命以及产物的可靠性。

2、专有的软启动电路可以低落SRVDS应力

当电源上电时，由于输出电压会刹时上升，这大概会引起过高的电压应力，导致器件破坏或低落其寿命。为办理此题目，DXP8001FA采取多段启动方式，通过渐渐增长输出电压，根据差别负载和输出条件调解工作模式为DCM/QR。在轻载环境下，芯片将进入Burst模式以进步服从。通过采取多段启动方式和根据负载和输出条件调解工作模式，DXP8001FA可以或许有效地办理电源上电时的题目，并根据实际需求提供高效的电源输出。

3、超低的寄生电感

当前65WPD充电器的常见解决方案是采取平凡的分离控制器与外置GaN相连合。然而，在高频条件下，这种方案的PCB走线和芯片封装内部的寄生电感会产生更为严峻的干扰。与之相比，DXP8001FA芯片内置了等效电路，可以或许在高频条件下仅存在一种寄生电感，从而进步了体系的稳固性。别的，该芯片外围电路非常简单，极大镌汰了产物在举行PCB布局时的时间耗费，并低落了产物调试的难度。

4、优化的各点服从-轻易满意能效标准

DXP8001FA采取DFN8×8封装，有效办理了大功率段计划及应用中芯片温升较大的题目。其130KHZ的开关频率使得该芯片实用于各种必要高服从、高功率密度和精良散热性能的电源产物，如开关电源、适配器、电动汽车充电桩等。针对PD/快速充电的差别输出电压需求，它可以调解为在差别负载和输出条件下工作于DCM/QR模式，并在轻负载条件下工作于突发模式，以进步服从并满意差别能效标准的需求。

氮矽科技PD65W（2C1A）参考计划

当前，环球范围内的当局和构造都在夸大能源服从提拔和碳排放镌汰的紧张性。而在节能电源中，氮化镓发挥着举足轻重的作用，其可以或许进步服从，低落转换过程中的功率丧失。相较于传统的硅基MOSFET，GaN集成芯片在器件尺寸、导通电阻以及工作频率等方面具有明显上风。利用GaN集成技能，可以缩小办理方案的团体尺寸，提拔服从；同时低落计划难度，使计划职员可以或许计划出更高效、紧凑的电源办理方案。

DXP8001FA充实连合高服从、高功率密度、高可靠性和高开关频率等特性，冲破了传统AC-DC转换器的范围，极大地简化了AC-DC转换器的计划和制造过程。

氮矽科技引领创新：全新低压氮化镓集成芯片震撼来袭！

DXC6010S1C为高功率密度应用提供超小型化的办理方案

氮矽科技DXC6010S1C是一款驱动集成氮化镓芯片，它具有很多出色的特性。这款芯片耐压100V，内部集成了一颗加强型低压硅基氮化镓和单通道高速驱动器。采取DFN5×6封装，占板面积小，无反向规复电荷，而且导通电阻极低。为最高功率密度应用提供超小型化的办理方案。

DXC6010S1C以其先辈的驱动集成技能脱颖而出，此技能可以或许有效掩护E-ModeGaN栅极，使之具备高度的可靠性。其输入电压范围为±18V，兼容全部传统硅控制器，并有效镌汰了寄生电感，简化了功率路径计划。这一计划明显低落了PCB占板面积，满意了生产的高效性和性价比的需求。别的，DXC6010S1C还具备UVLO欠压锁定功能，能有效防止电源电压颠簸导致的器件误开启题目，从而有效克制炸机风险。这同样是其高可靠性的一大缘故起因。

通过驱动集成技能，DXC6010S1C不但具有超高的可靠性，还兼具了机动性、可靠性、高效性以及易用性，明显提拔了应用工程师的利用体验。

在应用方面，DXC6010S1C实用于多种场景，如高频高功率密度降压转换器、DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等。它也实用于AI、服务器、通讯、数据中心等应用场景，特别得当48V工作电压的USBPD3.1快充和户外电源相干应用。

HUAYI华羿微电

推陈出“芯”！华羿微电功率MOS新升级，为大功率快充提供“芯”动能

HY3210P/MF

HY3210P为100V、6.8mΩ、TO-220FB-3L封装产物，采取Trench流片工艺。

HY3210P具体资料。

HY3210MF为100V、6.8mΩ、TO-220MF-3L封装产物，采取Trench流片工艺。

HY3210MF具体资料。

HY3210P/MF具有低内阻、导通斲丧小的上风，产物通过100%DVDS测试、100%UIL测试，符合RoHS标准，依附华羿微电稳固的工艺本领，具有高可靠性，可以有效提拔体系服从，实用于电源开关、不停止电源等应用范畴。

Innoscience英诺赛科

第十代里程碑之作-OppoReno10发布，全系采取VGaN

浮滑是OPPO Reno 系列最为个性光显的计划语言。OPPOReno10系列通过外部团体的机身计划和内部空间模块的高效堆叠，分身长焦镜头和大电池，打造浮滑舒服的手感。

值得一提的是，该系列全系产物均内置了英诺赛科新型低压氮化镓VGaN，以此更换传统手机内部的两颗背靠背SiMOS，实现更低导通斲丧的手机电池充、放电功能，并节流手机内部空间。这也成为Reno10系列实现浮滑的紧张方式之一。

据相识，Reno10系列内置的VGaN为英诺赛科40V低压芯片INN040W048A，该芯片支持双领导通，具备超高开关速率、导通电阻极低、无反向规复等特性。不但可以让手机内部空间得到高效利用，还能低落手机在充电过程中的温升，在快速充电时保持比力舒服的机身温度，延伸电池利用寿命。

具体来看，OPPOReno10系列手机采取“VGaN技能+高效空间堆叠工艺”，为手机内部腾出了宝贵空间，由此将等效4600mAh/4700mAh的大电池放入极致浮滑的机身。

同时，得益于 OPPO自研的SUPERVOOC S 电源管理芯片对内部氮化镓VGaN的直接驱动，节流了45%的快充器件面积，从而支持80W/100W超等闪充，使续航本领和快充速率大大加强。轻松实现充电5分钟，刷剧3小时，27分钟敏捷满血的舒畅畅快体验。

1KW电源模块采取InnoGaN，实测服从超98%

随着“双碳”概念的深入，智能化、低碳化越来越成为数据中心的两大“确定性”发展趋势，而低碳化就意味着要让数据中心能耗更低、服从更高。据行家说Research表现，现有数据中心（Si方案）团体功率转换能效约莫为75%，而采取GaN器件则能提拔到87.5%。此中，DCDC48V-12V环节在整个链路中扮演了紧张脚色。

继420W48V-5V、600W48V-12VDCDC电源模块后，英诺赛科又推出一款1000W方案，利用氮化镓寄生结电容小的特点，共同磁集成方案，将开关频率提拔至1MHz，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，输出功率到达1000W，服从超98%，实现了高服从和高功率密度上风。

重要参数

尺寸

39mm*26mm*7.5mm

服从

峰值服从：98.0%@12V/30A

满载服从：96.29%@12V/85A

功率密度

2150W/in^3

InnoGaN

ISG3201×2

INN040LA015A×8

拓扑布局

1000WDCDC电源模块的拓扑布局为全桥LLCDCX，固定变比为4：1，支持48V输入转12V输出，采取英诺赛科两颗100VSolidGaN系列的ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片搭配计划。

服从数据

通过实际测试，在输入电压48V、输出12V/30A时，峰值服从到达98%；在输入电压48V、输出12V/85A时，满载服从96.29%。

器件性能

1000WDCDC电源模块采取了两款InnoGaN氮化镓芯片计划而成，实现体系的高功率转换。

SolidGaNISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其内部集成了2颗100V/3.2mΩ的加强型GaN和1颗100V半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，明显低落寄生电感和开关尖峰,进一步进步1000W48V电源模块体系的团体性能和可靠性。产物面积（5mmx6.5mm）仅略大于单颗标准5x6Si器件，相对于Si方案的PCB占板面积减小了73%。针对谐振软开关应用，GaN的软开关FOM仅为Si的45%，这就意味着在高频软开关应用中，100VGaN的性能更加良好。

同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU举行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源体系的最佳选择。

INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的加强型氮化镓晶体管，采取FCLGA5*4封装，体积小巧，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反向规复电荷为零，不但可以低落占板面积，支持1000WDCDC模块的高功率密度计划，更高的开关频率还能为体系提供更高的动态相应，为绿色数据中心赋能。

方案上风

高服从：98.0%@48V-12V/30A

高频率：1MHz

高功率密度：2150W/in^3

超小体积：39mm*26mm*7.5mm

将来的数据中心将以更高效、更绿色和更智能的方式为客户提供服务，1000WDCDC电源模块可以或许使数据中心发挥高功率密度、低斲丧等巨大上风，氮化镓作为实现绿色能源的核心器件，也将为数字化期间的到来提供有力支持。

摩托罗拉强势回归！Edge40首创全链路GaN，实现快充自由

据先容，摩托罗拉Edge40手机内部采取的英诺赛科VGaN双领导通氮化镓芯片（40V/4.8mΩ），其具备无体二极管、低导通阻抗等特性，到如今为止是环球唯一内置得手机主板，并实现终端量产的氮化镓芯片。其原理是利用一颗VGaN代替传统手机内部的两颗背靠背SiMOS，实现了更低导通斲丧的手机电池充、放电功能，包管手机在充电过程中更高效，更安全。

该产物已于2022年被评为第十七届“中国芯”良好技能创新产物，并在OPPO，Realme，一加等品牌的多款手机中乐成量产。

而在标配充电器方面，Edge40的68W充电器最高输出功率68.2W，不管在手机还是条记本都有不错的兼容性。其内部采取的氮化镓器件（定制产物INN650DAL02A）同样来自英诺赛科。

该芯片封装为DFN5*6，支持超高开关频率，具备低Qg，低Co(tr)，无反向规复斲丧Qrr等特性，为Edge40标配的68W充电器实现小体积、高服从的计划。据充电头网测评表现，摩托罗拉68W充电器功率密度达1.01W/cm³，轻松执于掌心，算得上是手机官配里的本心制作了。

英诺赛科2款FCQFN150V产物打入工业应用市场

英诺赛科基于150V电压平台推出了INN150FQ032A和INN150FQ070A两款中低压GaN，该平台产物满意工业级可靠性要求，重要应用于太阳能体系优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通讯电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。

首款产物INN150FQ032A采取FCQFN4mmx6mm封装，体积小巧，且开关斲丧低，具有精良的服从表现，如今已乐成量产。基于150V电压平台技能，英诺赛科克日再次强势推出150V/7mΩ器件INN150FQ070A，采取FCQFN4mmX6mmPintopin兼容引脚计划，已通过小批量试产，客户可基于差别应用需求举行规格选型。

INN150FQ032AINN150FQ070A产物特性

l工业级应用

l超低的栅极电荷

l超低导通电阻

l小体积，FCQFN封装4mmx6mm

INN150FQ032AINN150FQ070A应用范畴

l高频DC-DC转换器

l太阳能体系优化器和微型逆变器

lPD充电器和PSU同步整流

l通讯电源

l电机驱动

INN150FQ032A和INN150FQ070A连续了InnoGaN导通电阻低、开关速率快、无反向规复等诸多特性，在太阳能体系优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通讯电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等应用中，更能充实地表现其高频高效、低导阻等良好特性。

INN150FQ032A规格书首页

INN150FQ070A规格书首页

英诺赛科150VSingleGaN系列推出的两款差别导通电阻FCQFN封装芯片，不但为客户计划选型提供更多参考，且有力推进了氮化镓在工业范畴的应用。

基于大规模8英寸硅基氮化镓技能的研发、制造与迭代，英诺赛科的产物质量和本钱上风均已在行业中得到表现。斲丧电子是氮化镓规模化应用的第一站，工业范畴固然渗出较低，但其需求也在渐渐攀升，英诺赛科等待与相助搭档共同推进更多范畴的应用，构建氮化镓生态。

出货量突破3亿颗，英诺赛科GaN技能成绩新里程碑

克制2023年8月，英诺赛科氮化镓芯片出货量乐成突破3亿颗！

克制2023年Q1，英诺赛科GaN芯片出货量累计出货量突破1.5亿颗（2022年12月：突破1亿颗；2023年Q1：突破5000万颗），这意味着，在不到半年的时间里，英诺赛科的GaN芯片出货量相比之前翻了一番，增长势头迅猛，出货量涨势强劲，上半年贩卖额增长500%。

如今，英诺赛科GaN芯片产物已在斲丧类（快充、手机、LED），汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能范畴的多个应用中大批量交付，资助客户实现小体积、高能效、低斲丧的产物计划。

英诺赛科发布100VVGaN，支持48VBMS应用

英诺赛科公布推出100V双领导通器件INV100FQ030A，可在电池管理体系、双向变更器的高侧负荷开关、电源体系中的开关电路等范畴实现高效应用。

英诺赛科产物部Shawn表现：“一颗VGaN可以更换两颗共漏毗连的背靠背SiMOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，低落斲丧。VGaN器件采取单Gate计划，通过控制Gate到Drain1/Drain2的逻辑，实现充电掩护可放电、放电掩护可充电；同时大幅镌汰器件数量，缩小占板面积，低落团体体系本钱。”

为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供BMS体系办理方案，计划方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A在电池管理体系(BMS)中表现出显着上风，具备巨大的市场潜力。

产物特性

支持双领导通，双向克制，无反向规复

极低的栅极电荷

超低的导通电阻100V/3.2mΩ

超小的封装体积FCQFN封装4x6mm

应用范畴

电池管理体系(BMS)

双向变更器的高侧负荷开关

电源体系中的开关电路

性能与上风

INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A，150V系列INN150FQ032A和INN150FQ070A三款产物采取兼容引脚计划，均为FCQFN4x6mm封装，客户可以根据差别的应用需求举行规格选型。

INV100FQ030A规格书首页

英诺赛科100V氮化镓系列产物已量产三款WLCSP封装产物（INN100W032A、INN100W027A和INN100W070A），两款FCQFN封装产物（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。当前新增一款FCQFN封装双领导通VGaN芯片INV100FQ030A，进一步丰富了100VInnoGaN系列，扩大应用范围，也为更广泛的场景提供选择。基于连续创新与核心技能的提拔，英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加快应用体系小型化、更高效、更节能。

如今，INV100FQ030A已进入小批量试产，如需申请样品，或查询具体的产物规格书、可靠性陈诉、仿真模子、VGaNBMS体系Demo方案等资料，可以通过英诺赛科微信公众号私信/留言接洽获取。

TAGOR泰高

提供无与伦比的100W应用计划，泰高技能大功率氮化镓射频前端芯片分析

深圳市泰高技能有限公司是专注于氮化镓射频前端芯片的半导体公司。其依附在氮化镓射频范畴的发明专利，乐成研发了一系列大功率氮化镓射频前端芯片。这些创新的芯片可以或许明显延伸无线通讯间隔并提拔图像传输品格。采取泰高技能的氮化镓计划，这些芯片具有更高的功率密度和更低的能耗。

这项创新技能不但提拔了产物团体性能，也对无线通讯范畴带来了革命性突破。借助泰高技能的大功率氮化镓射频前端芯片，用户可以享受更远间隔的无线毗连和更高质量的图像传输，无论是通讯装备、无人机或其他必要长途通讯的场景。别的，这些芯片还表现出色的能效，可以或许在保持高性能的同时低落能耗。这意味着装备在长时间利用后仍能保持稳固工作，并为环保奇迹作出贡献。

泰高技能是一家专注于提供广泛射频开关产物的公司，产物组合包罗功率范围在10W到100W之间的均匀功率射频开关，并采取小巧的QFN封装。与传统的PIN二极管开关差别的是，泰高技能的产物只需2.6V到5.5V电源供应，无需额外的高压供电或被动元件。这个计划奇妙地节省了宝贵的电路板空间，为客户提供更大的机动性和便利性。

别的，开关还具备低传导电阻（Ron）和高峰值电压遭受本领，可以实现可调谐的谐波滤波结果，满意差别应用场景对正确路由射频信号的需求。泰高技能不绝优化射频开关的性能，以满意无线电频段所需的功率输出、隔离度调和波性能。假如客户还必要前端的低噪声放大器产物，也可以提供符合各种应用场景需求的办理方案。通过提供优质的射频开关产物和服务，致力于资助客户得到更高的性能和可靠性，在无线通讯范畴取得乐成。

泰高技能不停专注于改进射频开关的性能，以满意无线电频段所需的各项要求。通过优化计划，乐成提拔产物的功率密度，同时低落能耗，实现了更出色的能效表现。这一创新技能将在无线通讯范畴带来革命性的厘革，为用户提供更为稳固、高效的无线毗连体验。

深圳市泰高技能有限公司是一家专注于研究氮化镓射频前端芯片的半导体企业。依附着在氮化镓射频范畴的创新专利，乐成地开辟出了一系列高功率氮化镓射频前端芯片，成为国内涵该范畴的领导者。这些创新的芯片实现了无线通讯间隔和图像传输质量方面的庞大突破。采取泰高技能的氮化镓计划，这些芯片具备更高的功率密度和更低的能耗。这项创新技能不但提拔了产物团体性能，对无线通讯行业也带来了革命性的影响。

通过利用公司的大功率氮化镓射频前端芯片，用户可以享受到更远间隔的无线毗连和高品格的图像传输体验，岂论是在通讯装备、无人机还是其他必要长途通讯的场景中都能得心应手。别的，这些芯片还具备出色的能效表现，既能保持高性能，又能低落能源斲丧。因此，在长时间利用后，装备仍旧可以或许保持稳固运行，并为环保奇迹做出贡献。

满意广泛应用，覆盖10-100W计划需求，泰高技能引领氮化镓射频开关芯片

泰高技能所研发的氮化镓射频开关无疑是市场上最为独一无二的产物。公司在产物范例方面拥有多样化的选择，包罗大功率射频开关（HighPowerSwitch)、内置变压模块克制的低噪声开关（ByPassSwitch）、天线的安全失效掩护开关（Fail-SafeSwitch）以及可调天线滤波器（AntennaTurningSwitch）等。这些产物不但具备出众的性能和品格，还能满意差别客户的需求。外洋市场也对泰高技能的产物赞誉有加，承认其在无线通讯范畴的引领职位。无论是在可靠性还是创新性方面，泰高技能都冲破了传统的技能边界，提供了独特而先辈的办理方案。

泰高技能的大功率射频开关与控制器已经实现了无缝的融合，为用户提供了极其方便的开关操纵体验。产物可支持3.3V或5.0V电源，简化了射频开关控制方式。与传统的GaAS和SOI开关相比，泰高技能的产物不但在插入斲丧方面表现更佳，而且隔离性能更加出色，可以或许满意更多应用场景的需求。同时，这款大功率射频开关与控制器的独特计划，使其成为一款非常出色的产物。

泰高技能的大功率对称型射频开关产物具有以下上风：

1.宽波段：产物实用于广泛的频率范围，重要工作频段为30MHz-6GHz。

2.高隔离度：高达42db的隔离度，有效镌汰信号之间的干扰。

3.低插入斲丧：插入斲丧仅为0.2db以下，信号通过开关时产生的能量丧失非常小，从而低落了功耗和发热题目。

4.快速切换速率：开关的切换速率非常敏捷，可以或许满意及时控制的需求。

5.高可靠性：产物采取对称型计划，低落了故障率，进步了装备的可靠性。

6.较少的外围器件：与传统的Pin二极管相比，泰高技能的产物外围零件数量大大镌汰，最少只必要2pcs，从而节流了布板空间的利用。

7.低能耗：均匀只必要0.6mW，进一步低落了能源斲丧。

泰高技能的氮化镓射频开关：强劲应对高功率射频计划的王牌

被广泛应用于高功率放大器中，其上风重要表现在宽带隙GaN器件具有高击穿电压和高载流子密度，从而实现高功率密度。然而，人们对于GaN在大功率开关技能方面的上风并不太相识。实际上，GaN改善功率放大器性能的特性同样实用于实现出色的大功率射频开关。

GaN射频开关内部框图

在高功率射频开关中，对射频器件有两个重要的要求：ON臂必须具备处理惩罚极高射频电流的本领，而OFF臂则必要可以或许应对非常大的射频电压。从表1可以看出，射频开关所需的峰值射频电压和电流与射频功率出现正相干的关系。举例来说，假如在一个50Ω的体系中产生10W的射频功率，则必要处理惩罚32V的峰值电压和600mA的峰值电流。当驻波比为4:1时，在典范射频前端部分，开关必须可以或许处理惩罚高出50V和1A的峰值电压和电流。假如产生的射频功率为100W，则开关必要处理惩罚160V的峰值电压和3.2A的峰值电流。因此，射频开关的计划必须可以或许遭受高电压和高电流的要求。别的，还必要思量安全性和可靠性等因素。

另一个关键参数是FoM（figureofmerit）=（Ron*Coff/VBV）。此中，Ron代表开关的导通电阻，Coff代表关断电容，VBV代表击穿电压。FoM的值越小，技能越良好。泰高技能的第二代GaN技能的FoM为3fs/V。随着技能的成熟和改进，下一代的FoM有望进一步进步，从而进一步改善开关性能。

GaN与PIN二极管射频开关的比力

泰高技能的GaN射频开关采取耗尽型模式GaNHEMT技能，相较于PIN二极管射频开关具有很多上风。起首，GaNHEMT具有高击穿电压，每毫米的饱和电流可靠近1A，因此在50Ω体系中，仅需2至3毫米的器件即可满意100W功率的峰值电流要求。与绝缘体上硅（SOI）开关雷同，GaN射频开关利用栅极电压来控制开关功能。然而，GaN器件的击穿电压远高于SOI，SOI的击穿电压一样平常约为3V。这意味着在高功率开关中，无需堆叠多个器件，仍能满意要求，从而低落了Ron和Coff。

值得留意的是，由于这些器件处于耗尽模式，关闭时必要负电压，而打开则必要零电压。泰高技能的开关控制器芯片与GaN芯片封装在一起，通过控制器产生的栅极电压信号来控制全部GaN器件。控制器内部产生负电压，只必要最低2.7V（最高5.5V）的电源和1.2V（最高5.25V）的逻辑信号即可控制射频开关状态。别的，唯一必要的外部元件是毗连在电荷泵引脚上的旁路电容。这些特点使得泰高技能的GaN射频开关成为一种非常方便且高效的选择。

5G室外一体机微基站的抱负选择，整合双通道射频前端多芯片模块，采取先辈的氮化镓工艺

泰高技能推出了实用于时分双工（TDD）体系的多芯片模块，该模块集成了低噪声放大器（LNA）和氮化镓工艺的高功率开关TGFE0220D，覆盖了2.0GHz至4.2GHz的蜂窝频段，并针对M-MIMO天线接口举行了优化计划。该系列器件通过GaN工艺集成了高功率开关和GaAs工艺集成的高性能低噪声放大器，具备高射频功率处理惩罚本领和高度集成度，既不捐躯性能也不捐躯本钱。

双通道架构

TGFE0220D的m-MIMORF前端计划采取双通道架构，如图2所示。该器件集成了高功率开关和两级LNA。在吸取模式下，开关将输入信号路由至LNA输入端。在发射模式下，输入颠末50Ω端口路由，以确保与天线接口的精确匹配，并将LNA与天线之间的任何反射功率隔离。通过集成的双通道架构，计划职员可以轻松扩展MIMO，逾越传统器件8×8（8个发射器×8个吸取器）的限定，实现16×16、32×32、64×64乃至更高的设置。

M-MIMO射频前端框图。

高功率掩护开关

该器件包罗一种采取氮化镓（GaN）工艺计划的大功率开关，无需额外的外部组件来产生偏置。该开关实用于5V单电源运行，仅斲丧5mA的电流，并可以直接与标准数字微控制器毗连，无需采取负电压或电平转换器。相比于基于PIN二极管开关的实现方案，氮化镓开关可以节流用户约80%的偏置功率和90%的电路板空间。

在连续运行时，该开关可以或许处理惩罚峰均比（PAR）为9dB的20W均匀射频信号，而且在故障环境下可以或许遭受两倍额定功率。TGFE0220D是市场上首批具备20W功率处理惩罚本领的产物，因此非常实用于高功率M-MIMO计划。通过向每个天线元件传输更多的功率，可以镌汰传输通道的数量，并从基站中获取雷同的射频功率。TGFE0220D的架构如图3所示。可以看出，两个通道的大功率开关都由同一器件引脚供电和控制，而低噪声放大器则有本身独立的电源和控制信号计划。同时，该器件在故障环境下也可以或许正常工作。

TGFE0220D电路架构。

低噪声系数

本款两级低噪声放大器（LNA）采取GaAs工艺计划，单电源供电为5V，无需外部偏置电感器。在频率范围内，其增益特性保持平展。以3.6GHz为条件，高增益模式和低增益模式的编程分别为32dB和13dB。该器件还支持低功耗模式，可以关闭LNA的电源以节流偏置电源。其噪声系数为1.0dB（包罗开关的插入斲丧），使其非常实用于高功率和低功率M-MIMO体系。图4展示了TGFE0220D在指定频段上的噪声系数性能。

具体来说：

在3.6GHz频率下，高增益模式下的噪声系数为1.0dB；

在3.6GHz频率下，低增益模式下的噪声系数为0.9dB；

RXOUT-CHA和RXOUT-CHB之间的隔离度为40dB（典范值）；

TERM-CHA和TERM-CHB之间的隔离度为55dB（典范值）；

在3600MHz处的插入斲丧为0.45dB（TX模式）。

TGFE0220D噪声系数。

小尺寸，外部组件数量少

该器件具有以下特点：除了电源引脚上的重要解耦电容和射频信号引脚上的隔直电容外，无需添加任何调谐或匹配元件。射频输入和输出采取50Ω匹配。在LNA计划中，匹配和偏置电感已经集成此中。这一计划不但节流了昂贵的组件质料本钱，而且简化了硬件计划中相邻收发器之间通道间串扰的题目。该器件采取6mm×6mm表贴封装情势，并附带散热加强底板。其额定壳温范围为-40°C到+105°C。

通过查察图5，您可以看到该器件是怎样安装在其评估板上的。假如您对该评估板感爱好，您可以直接接洽泰高技能或其授权署理商获取。

TGFE0220Dfor2.0GHz~4.2GHz评估板。

功能对比A品牌

泰高技能的TGFE0220D与A品牌的ADRF5545A和ADRF5515在P2P兼容性方面完全雷同，而且在性能上高出了A品牌。据图6表现，TGFE0220D的性能对比表明它具有出色的表现。

TGFE0220D是一款兼容ADRF5545A和ADRF5515的芯片，但是它们之间存在三个明显的差别。起首，TGFE0220D的第4个引脚无法毗连到地线，因此必要对PCB举行微小的调解。其次，与ADRF5545A相比，TGFE0220D具有更良好的噪声系数，雷同于ADRF5515。在应用中，噪声系数发挥着至关紧张的作用。末了，TGFE0220D的插入斲丧也优于ADRF5545A，雷同于ADRF5515。这意味着在利用TGFE0220D时，信号插入时的斲丧更小。

这些特点使得TGFE0220D成为非常值得思量的芯片选择。它不但与A品牌兼容，而且在性能方面表现杰出。无论是优化噪声系数还是低落插入斲丧，TGFE0220D都可以为用户提供更好的性能和信号质量。对于必要高性能和可靠性的应用场景，TGFE0220D是一个抱负的选择。

TGFE0220D性能对比表。

深圳市泰高技能有限公司是一家专注于氮化镓射频前端芯片的半导体企业。依附自身在该范畴的发明专利，我们乐成研发了一系列高功率氮化镓射频前端芯片。这些创新产物不但可以明显扩展无线通讯的覆盖范围，还能提拔图像传输的质量。通过采取泰高技能的氮化镓计划方法，这些芯片实现了更高的功率密度和更低的能耗。这项创新技能不但提拔了团体产物性能，还对无线通讯范畴带来了革命性的突破。借助我们的高功率氮化镓射频前端芯片，用户可以享受到更远间隔的无线毗连和更高质量的图像传输，无论是在通讯装备、无人机或其他必要长途通讯的场景中。别的，这些芯片还具有出色的能效表现，可以或许在保持高性能的同时低落能耗。这意味着装备可以长时间稳固运行，并为环保奇迹做出贡献。

泰高技能-让您实现超低噪声性能（低于-134dBm）的高功率氮化镓射频开关

泰高技能提供了一系列高功率氮化镓射频开关产物，这些开关内部包罗GaN芯片和CMOS控制器芯片。为了精确控制开关装置，泰高GaN开关采取了集成控制器计划，该计划必要负电压。为了天生负电压，控制器内部利用电荷泵电路。

不外，电荷泵电路在切换频率和切换频率的谐波处会产生干扰。为了办理这个题目，图1表现了通过毗连在IC的VCP引脚上的外部旁路电容器来低落这些切换干扰的方法。保举的旁路电容器值为1nF，电压品级为50V。在操纵频率低于300MHz时，典范的干扰性能为-110dBm至-130dBm，而且分辨带宽为10kHz。图2展示了TGSB2320AD;30W4TRF开关的全部四个RF端口的低频噪声性能，还表现了与RF开关毗连时的噪声程度，以展示丈量噪声底线。

在高出300MHz的操纵频率下，干扰程度应低于-135dBm，大多数应用环境下这已经充足。但对于在VHF和UHF频段操纵的应用以及RF开关位于体系的吸取路径中的环境，这种干扰性能大概不敷够。在通道带宽为10kHz的环境下，必要低于-134dBm的噪声底线（即热噪声底线）。如图2所示，采取内置电荷泵选项的泰高开关不能满意这种噪声要求。本应用指南提供了一个简单的办理方案，实用于那些必要在操纵频率低于300MHz时，噪声低于-135dBm（10kHzRBW）的应用。

TGSB2320ADPinout

NoiseperformanceforTGSB2320AD

办理方案：

泰高技能为必要低噪声性能的应用提供了一系列具有外部电荷泵电压选项的开关产物。这些开关必要外部负电压来工作。根据图3所示，只需利用带有内部电荷泵的泰高技能氮化镓射频开关产物，就可以轻松地提供所需的负电压。泰高技能的氮化镓射频开关通过计划内部电荷泵电路，使其可以或许为带有外部电荷泵选项的开关提供充足的电流。

我们发起将每个开关靠近其相应的旁路电容器。在一些体系中，大概存在多个射频开关。在这种环境下，可以利用VCP电压从不必要非常低噪声性能的开关（如位于发送路径的开关）提供给必要低噪声性能的开关（如位于VHF和UHF吸取路径的开关）。通过如许的设置，具有外部电荷泵选项的开关将可以或许实现超低噪声性能（-134dBm），满意吸取机灵敏度的要求。

Lownoisesolution(Allowed)

紧张阐明：请留意，泰高技能的高功率氮化镓射频对称开关对称带有内置电荷泵，因此在毗连时只能与一个具有外部电荷泵的开关相连。假如体系中存在多个带有外部电荷泵的开关，则应确保第二个开关毗连到具有内置电荷泵选项的差别泰高技能氮化镓RF开关，如图3所示的办理方案所示。但是，请留意，图4所示的办理方案则是不被答应的。别的，请务必确保两个开关（即内置电荷泵选项和外部电荷泵选项）都由同一稳压器供电。别的，为了包管性能稳固，发起两个开关都配备1nF或更高的旁路电容，而且这些旁路电容应尽大概靠近各自的开关位置。

加深相助，携手进步，泰高技能与镓宏半导体共同推动GaN范畴的战略相助

深圳市泰高技能与深圳镓宏半导体有限公司克日告竣了一项全面战略相助协议，旨在加强企业的可连续发展本领，提拔产物竞争力。该相助协议基于上风互补和共同发展的原则，在芯片制造范畴睁开相助，涵盖硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓外延片等范畴。这一相助办法将有助于泰高技能积极推进产物化进程，并对将来的策划业绩产生积极作用。

根据拟签订的《深圳市泰高技能有限公司与深圳镓宏半导体有限公司战略相助框架协议》，深圳镓宏半导体将尽力支持泰高技能的氮化镓射频与功率芯片及工艺研发，并提供长期、稳固、优质的外延片服务。协议进一步明白了两边在工程上相互支持的相助方式。

深圳镓宏半导体及其子公司江苏镓宏半导体，引进美国领先公司的核心技能团队，以团队在外洋积聚的大功率氮化镓芯片规模化计划及生产技能履历为底子，连合国内市场上风，动手建立氮化镓功率芯片IDM项目。别的，镓宏与以色列的VisIC、加拿大的GanSystem（2023年3月被英飞凌收购）两家环球领先的氮化镓大功率芯片计划公司创建起了技能与业务相助搭档关系。如今，首条试验线已覆盖了6英寸氮化镓外延片生产、器件制造和应用模组开辟等环节。除了自主研发功率芯片，还提供外延和器件代工业务。

根据《深圳市泰高技能有限公司与深圳镓宏半导体有限公司战略相助框架协议》，泰高技能将成为深圳镓宏半导体芯片制造的紧张战略相助搭档。两边将在硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓的外延片制造范畴睁开长期相助。深圳镓宏半导体将尽力支持泰高技能的氮化镓射频与功率芯片的工艺研发，并提供长期、稳固、优质的外延片服务。两边还将在工程上相互支持，共同讨论需求和产能筹划，加深相助。这些相助内容将有助于推动产物化进程，并对企业的可连续发展和产物竞争力产生积极影响。

协议的签订对于两边来说具有紧张的意义和积极的影响。起首，该相助将创建起深圳泰高技能与深圳镓宏半导体之间精密的战略相助搭档关系，两边将共同致力于推动氮化镓射频和功率芯片的研发和创新。通过连合泰高技能在发射机模块和功率模块范畴的上风，以及镓宏半导体在高功率氮化镓芯片制造及外延片服务方面的专业知识和履历，两边将共同积极推动产物平台技能的进一步发展，从而提拔企业的产物竞争力。

其次，该相助对于泰高技能的产物平台技能和财产的创新发展具有紧张意义。通过借助镓宏半导体在氮化镓外延片提供方面的上风，泰高技能可以或许拥有长期、稳固、优质的外延片服务，从而加强其产物制造的可连续发展本领。别的，两边的工程支持和协作将进一步推动氮化镓射频和功率芯片的工艺研发，为泰高技能的产物化进程提供有力支持。

末了，该相助协议预计对深圳泰高技能将来年度的策划业绩产生积极的影响。通过与镓宏半导体的战略相助，泰高技能可以或许进一步扩大其产物的品类。

充电头网总结

文章内容较多，受限于篇幅的缘故起因只是对每篇内容举行了简单的先容。感爱好的朋侪可从前去充电头网官网大概关注充电头网微信公众号查察具体文章详情。