如今各种装备对于NAND闪存的容量要求越来越高，迫使厂商们不得不连续改进技能，尤其是强化3D堆叠计划。SK海力士就筹划在本年量产72层堆叠闪存。
2015年，SK海力士量产了第二代36层堆叠3DMLCNAND(3D-V2)，单晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3，闪存范例改成TLC，重点单晶粒容量256Gb(32GB)，而封装芯片的容量最高可以到达4096Gb(512GB)。
2017年，我们将看到SK海力士的第四代3D-V4，惊人的72层堆叠，还是TLC，此中第二季度量产的单晶粒容量仍为256Gb，而第四序度翻番到512Gb(64GB)，如许封装闪存芯片的最高容量将到达8192Gb(1TB)。
更紧张的是，这一代闪存的区块尺寸将从9MB增大到13.5MB，有助于提拔性能。
这意味着，着实只必要两颗芯片，就能造出2TB容量的单面M.2SSD，而且本钱更低，另一方面120/128GB等低容量产物大概会被根本放弃。
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