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NORFLASH采取“或非”逻辑门电路，可被电子删除和重编电子非易失性盘算机存储媒体。闪存(Flash)存储单位为三端装备，即源极、漏极和栅极。由于栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，浮置栅极中的电荷不会走漏，因此闪存具有影象力。NOR闪存擦除数据仍基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅底层），但在写入数据时采取热电子注入...